霍尔元件为什么用半导体？
因为霍尔电压公式是E等于kBI/d，霍尔元件和等离子磁流体发电是一个原理的，其中公式的系数k1/n（n为导体单位横截面积的载流子数）说到这儿就能看出当BI一守时不同材料的k与d不同时霍尔电压是 不同的，当d做到很薄不能再薄（很厚）时只能通过改变k来提高（下降）霍尔电压， 而一般材料的K基本是固定的或随外界要素（温度）改变的，这便是系数变量，而半导体导电是因为能在硅储中掺杂的不同浓度的物质， 而这种掺杂使得半导体中的载流子浓度能受人为操控（也便是单位横截面积的载流子数能人为操控）从而改变了K，其实这公式些就跟人们发现的电阻率公式相似，起到了对电子元件的微型化的效果。
霍尔元件应用霍尔效应的半导体。 所谓霍尔效应，是指磁场效果于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。 当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为显着，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。 因为通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故能够使用霍尔元件丈量出磁场，就可确认导线电流的大小。使用这一原理能够设计制成霍尔电流传感器。其长处是不好被测电路发生电接 触，不影响被测电路，不耗费被测电源的功率，特别适合于大电流传感。 若把霍尔元件置于电场强度为E、
磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P 可由P=EH确认。 使用这种办法能够构成霍尔功率传感器,如果把霍尔元件集成的开关按预订位置有规则地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体通过它时，能够从丈量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列能够传感 出该运动物体的位移。若测出单位时间内宣布的脉冲数，则能够确认其运动速度。
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