有关霍尔元件的知识
霍尔元件可用多种半导体资料制造，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱资料等等。是一种依据霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场以及磁场的改动，可以运用在各种与磁场相关的场合中。
霍尔元件具有许多利益，它们的结构安靖，寿命长，重量轻，体积小，设备便当，频率高（可达1MHZ），功耗小，耐哆嗦，不怕污染，耐腐蚀。
1、霍尔系数（又称霍尔常数）
当磁场不是很强的时分，霍尔电势差UH与煽动电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它标明霍尔效应的强弱。 另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片资料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。
2、霍尔灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度）
霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它一般可以表征霍尔常数。
3、霍尔额定煽动电流
当霍尔元件自身温升10℃时所流过的煽动电流称为额定煽动电流。
4、霍尔最大容许煽动电流
以霍尔元件容许最大温升为绑缚所对应的煽动电流称为最大容许煽动电流。
5、霍尔输入电阻
霍尔煽动电极间的电阻值称为输入电阻。
6、霍尔输出电阻
霍尔输出电极间的电阻值称为输入电阻。
7、霍尔元件的电阻温度系数
在不施加磁场的条件下，环境温度每改动1℃时，电阻的相对改动率，用α标明，单位为%/℃。
8、霍尔不等位电势（又称霍尔偏移零点）
在没有外加磁场和霍尔煽动电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。
9、霍尔输出电压
在外加磁场和霍尔煽动电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为霍尔输出电压。
10、霍尔电压输出比率
霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率
11、霍尔寄生直流电势
在外加磁场为零、霍尔元件用交流煽动时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一贯流电势，称寄生直流电势。
12、霍尔不等位电势
在没有外加磁场和霍尔煽动电流为I的情况下，环境温度每改动1℃时，不等位电势的相对改动率。
13、霍尔电势温度系数
在外加磁场和霍尔煽动电流为I的情况下，环境温度每改动1℃时，不等位电势的相对改动率。它一同也是霍尔系数的温度系数。
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