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霍尔元件为什么用半导体?

返回列表 来源:华芯霍尔元件 浏览:0 发布日期:2019-09-12 12:44:03【

因为霍尔电压公式是E等于kBI/d,霍尔元件和等离子磁流体发电是一个原理的,其中公式的系数k1/n(n为导体单位横截面积的载流子数)说到这儿就能看出当BI一守时不同材料的k与d不同时霍尔电压是 不同的,当d做到很薄不能再薄(很厚)时只能通过改变k来提高(下降)霍尔电压, 而一般材料的K基本是固定的或随外界要素(温度)改变的,这便是系数变量,而半导体导电是因为能在硅储中掺杂的不同浓度的物质, 而这种掺杂使得半导体中的载流子浓度能受人为操控(也便是单位横截面积的载流子数能人为操控)从而改变了K,其实这公式些就跟人们发现的电阻率公式相似,起到了对电子元件的微型化的效果。

 

霍尔元件应用霍尔效应的半导体。 所谓霍尔效应,是指磁场效果于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。 当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为显着,而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。 因为通电导线周围存在磁场,其大小和导线中的电流成正比,故能够使用霍尔元件丈量出磁场,就可确认导线电流的大小。使用这一原理能够设计制成霍尔电流传感器。其长处是不好被测电路发生电接 触,不影响被测电路,不耗费被测电源的功率,特别适合于大电流传感。 若把霍尔元件置于电场强度为E、

磁场强度为H的电磁场中,则在该元件中将产生电流I,元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比,如果再测出该电磁场的磁场强度,则电磁场的功率密度瞬时值P 可由P=EH确认。 使用这种办法能够构成霍尔功率传感器,如果把霍尔元件集成的开关按预订位置有规则地布置在物体上,当装在运动物体上的永磁体通过它时,能够从丈量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列能够传感 出该运动物体的位移。若测出单位时间内宣布的脉冲数,则能够确认其运动速度。

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